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CSD19506KTT
N沟道 80V 296A
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- 描述
- CSD19506KTT 采用 D2PAK 封装的单路、2.3mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD19506KTT
- 商品编号
- C2870732
- 商品封装
- TO-263-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 296A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 12.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.94nF |
商品概述
这款 80 V、2.0 mΩ、D²PAK (TO-263) NexFET™ 功率 MOSFET 旨在用于更大限度地降低功率转换应用中的损耗。
商品特性
- 超低Qg和Qgd
- 低热阻
- 具有雪崩能力
- 无铅端子镀层
- 符合RoHS
- 无卤素
- D²PAK塑料封装
应用领域
- 次级侧同步整流器
- 电机控制
- LMX2531LQ1742/NOPB
- LP5951MF-2.0/NOPB
- BQ25100YFPT
- LP87702DRHBTQ1
- SN74ACT534PWR
- LMZ14201HTZE/NOPB
- SN74AHCT16541DGGR
- TAS5760LDCAR
- MSP430F1612IPM
- SN74ABT640N
- SN74GTLPH306PWR
- SN74HC02QPWRQ1
- TPS715A01DRBR
- TPS71709QDSERQ1
- TLV1548QDBRG4Q1
- TLV71328PDQNR
- TPA3101D2RGZR
- LM49350RL/NOPB
- CD74ACT373M96
- LMZ22005TZX/NOPB
- LMZ23603TZE/NOPB