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CSD19506KTT
N沟道 80V 296A
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- 描述
- CSD19506KTT 采用 D2PAK 封装的单路、2.3mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD19506KTT
- 商品编号
- C2870732
- 商品封装
- TO-263-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 296A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 120nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 12.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.94nF |