CSD25202W15T
1个P沟道 耐压:20V 电流:4A
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- 描述
- CSD25202W15 采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、26mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD25202W15T
- 商品编号
- C2870115
- 商品封装
- DSBGA-9
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.05V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.01nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 520pF |
商品概述
这款 21 mΩ，20V 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1.5mmx1.5mm 小外形封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。低导通电阻与小型封装尺寸和低高度结合在一起，使得此器件非常适合于电池供电运行的空间受限应用。
商品特性
- 低电阻
- 小尺寸封装 1.5mm x 1.5mm
- 栅极静电放电(ESD) 保护 - 3kV
- 无铅
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- 栅 - 源电压钳位
应用领域
- 电池管理
- 电池保护
优惠活动
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(250个/圆盘，最小起订量 1 个)个
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