我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单工业品PCB/SMT面板定制
UCC27289DR实物图
  • UCC27289DR商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

UCC27289DR

具有8V UVLO和负电压支持的3A 120V半桥驱动器

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET;在 DRC 封装中启用/禁用功能;禁用时消耗的电流很低 (7μA);16ns 典型传播延迟;1800pF 负载时的上升时间为 12ns,下降时间典型值为 10ns;1ns 典型延迟匹配;集成式 100V 自举二极管;8V 典型欠压锁定;输入引脚上接受的绝对最大负电压 (–5V);HS 引脚上接受的绝对最大负电压 (-14V);±3A 峰值输出电流;绝对最大启动电压为 120V;输入相互独立且 VDD;两个通道的欠压锁定;额定结温范围为 –40°C 至 140°C。
品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
UCC27289DR
商品编号
C2870124
商品封装
SOIC-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.175克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
驱动配置半桥
负载类型MOSFET
驱动通道数2
灌电流(IOL)3A
拉电流(IOH)3A
工作电压8V~16V
上升时间(tr)12ns
属性参数值
下降时间(tf)10ns
传播延迟 tpLH16ns
传播延迟 tpHL16ns
特性欠压保护(UVP)
工作温度-40℃~+140℃
输入高电平(VIH)1.9V~2.4V
输入低电平(VIL)900mV~1.3V
静态电流(Iq)360uA

商品概述

可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET;在 DRC 封装中启用/禁用功能;禁用时消耗的电流很低 (7μA);16ns 典型传播延迟;1800pF 负载时的上升时间为 12ns,下降时间典型值为 10ns;1ns 典型延迟匹配;集成式 100V 自举二极管;8V 典型欠压锁定;输入引脚上接受的绝对最大负电压 (–5V);HS 引脚上接受的绝对最大负电压 (-14 V);±3A 峰值输出电流;绝对最大启动电压为 120V;输入相互独立且 VDD;两个通道的欠压锁定;额定结温范围为 – 40°C 至 140°C。

商品特性

  • 可驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道 MOSFET
  • 在 DRC 封装中启用/禁用功能
  • 禁用时消耗的电流很低 (7μA)
  • 16ns 典型传播延迟
  • 1800pF 负载时的上升时间为 12ns,下降时间典型值为 10ns
  • 1ns 典型延迟匹配
  • 集成式 100V 自举二极管
  • 8V 典型欠压锁定
  • 输入引脚上接受的绝对最大负电压 (–5V)
  • HS 引脚上接受的绝对最大负电压 (-14 V)
  • ±3A 峰值输出电流
  • 绝对最大启动电压为 120V
  • 输入相互独立且 VDD
  • 两个通道的欠压锁定
  • 额定结温范围为 – 40°C 至 140°C

应用领域

  • 商用网络和服务器 PSU
  • 商用通信电源整流器
  • 直流输入 BLDC 电机驱动器
  • 光伏微型逆变器
  • 测试和测量设备