温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CSD22206WT
1个P沟道 耐压:8V 电流:5A
- 描述
- CSD22206W 采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、5.7mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD22206WT
- 商品编号
- C2866823
- 商品封装
- DSBGA-9
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 8V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.7mΩ@4.5V,2A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.05V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.275nF@4V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |