温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CSD19535KTT
1个N沟道 耐压:100V 电流:200A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- CSD19535KTT 采用 D2PAK 封装的单路、3.4mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD19535KTT
- 商品编号
- C2869105
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.69克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 98nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.93nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 38pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.51nF |
商品概述
这款 100V、2.8mΩ D2PAK (TO-263) 功率 MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低损耗。
商品特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩额定值
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- D2PAK 塑料封装
应用领域
- 热插拔
- 电机控制
- 二次侧同步整流器