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CSD19535KTT
1个N沟道 耐压:100V 电流:200A
- 描述
- CSD19535KTT 采用 D2PAK 封装的单路、3.4mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD19535KTT
- 商品编号
- C2869105
- 商品封装
- TO-263-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.69克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 98nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.93nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 38pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.51nF |
商品概述
This 30 V, 2.9 mΩ NexFET power MOSFET in a 5 mm × 6 mm SON package is designed to significantly reduce losses in power conversion applications.
商品特性
- Low Qg and Qgd
- Low RDS(on)
- Low thermal impedance
- Avalanche rated
- Lead-free lead plating
- RoHS compliant
- Halogen-free
- Small Outline No-Lead (SON) 5 mm × 6 mm plastic package
应用领域
- Point-of-load synchronous buck converters FOR networking,telecommunications,AND computing systems-Optimized FOR control field-effect transistor (FET) applications