CSD19535KTT
1个N沟道 耐压:100V 电流:200A
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描述
CSD19535KTT 采用 D2PAK 封装的单路、3.4mΩ、100V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称TI(德州仪器)
商品型号
CSD19535KTT商品编号
C2869105商品封装
TO-263-3包装方式
编带
商品毛重
1.69克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 100V | |
连续漏极电流(Id) | 200A | |
导通电阻(RDS(on)) | 2.8mΩ@10V,100A | |
耗散功率(Pd) | 300W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
栅极电荷量(Qg) | 75nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 7.93nF@50V | |
反向传输电容(Crss) | 38pF@50V | |
工作温度 | -55℃~+175℃ |
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