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CSD25480F3
1个P沟道 耐压:20V 电流:1.7A
- 描述
- CSD25480F3 采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、159mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD25480F3
- 商品编号
- C2869359
- 商品封装
- PicoStar-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.047克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 132mΩ@8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 910pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 155pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
该 -20V、110mΩ P 沟道 FemtoFET™ MOSFET 经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号MOSFET的同时大幅减小封装尺寸。
商品特性
- 低导通电阻
- 超低 Qg 和 Qgd
- 超小尺寸
- 尺寸为 0.73 mm × 0.64 mm
- 薄型封装
- 最大厚度为 0.36 mm
- 集成型ESD保护二极管
- 无铅且无卤素
- 符合 RoHS
应用领域
- 负载开关应用
- 通用开关应用
- 电池应用
- 手持式和移动类应用