SN74AVC16373DGVR

该器件集成了动态输出控制（DOC™）电路，该电路在信号转换期间，最初会降低输出阻抗以有效驱动负载，随后升高输出阻抗以降低噪声。在信号转换开始时，DOC电路可提供最大动态驱动，等效于高驱动标准输出器件。这款16位透明D型锁存器可在1.2 V 至 3.6 V VCC下工作，专门设计用于1.65 V 至 3.6 V VCC工作环境。SN74AVC16373特别适用于实现缓冲寄存器、I/O端口、双向总线驱动器和工作寄存器。该器件可用作两个8位锁存器或一个16位锁存器。当锁存使能（LE）输入为高电平时，Q输出跟随数据（D）输入。当LE变为低电平时，Q输出锁存D输入建立的电平。带缓冲的输出使能（OE）输入可用于将八个输出置于正常逻辑状态（高或低逻辑电平）或高阻态。处于高阻态时，输出不会对总线线路产生显著负载或驱动。高阻态和增强驱动能力使得无需接口或上拉组件即可驱动总线线路。OE不影响锁存器的内部操作，输出处于高阻态时仍可保留旧数据或输入新数据。为了确保上电或断电过程中保持高阻态，OE应通过上拉电阻连接到VCC；电阻的最小值由驱动器的灌电流能力决定。该器件完全指定用于使用Ioff的部分掉电应用。Ioff电路会禁用输出，防止器件掉电时产生有害的反向电流。SN74AVC16373的工作温度范围为 -40℃ 至 85℃。

• 属于Texas Instruments Widebus™家族
• 采用EPIC™（增强性能植入CMOS）亚微米工艺
• DOC™（动态输出控制）电路可动态改变输出阻抗，在不降低速度的前提下降低噪声
• 动态驱动能力等效于标准输出，在2.5 V VCC下IOH和IOL为 ±24 mA
• 耐过压输入/输出允许混合电压模式数据通信
• Ioff支持部分掉电模式工作
• ESD防护超出JESD 22标准要求
• 满足2000-V人体模型（A114-A）要求
• 满足200-V机器模型（A115-A）要求
• 锁存性能超出JESD 78 II类标准的100 mA要求
• 封装选项包含塑料薄型收缩小外形（DGG）和薄型极小外形（DGV）封装

• 缓冲寄存器
• I/O端口
• 双向总线驱动器
• 工作寄存器