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TPS650830ZCGR

TPS650830ZCGR

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描述
TPS650830 用于 Skylake 处理器的可编程中等输入电压范围电源管理 IC (PMIC)
品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
TPS650830ZCGR
商品编号
C2866828
商品封装
NFBGA-159​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

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参数完善中

商品概述

TPS650830是一款单芯片解决方案电源管理集成电路(IC),专为最新的Intel处理器而设计,主要应用于由2节、3节或4节串联锂离子电池组供电且采用NVDC或非NVDC电源架构的平板电脑、超极本和笔记本电脑。 TPS650830应用于Volume系统,该系统采用合并式低电压轨,可实现体积最小且成本最低的系统电源解决方案。 TPS650830可基于Intel参考设计提供完整的电源解决方案。该器件具有5个高效降压稳压器(VR)和1个灌/拉LDO,可与上电序列逻辑器件搭配使用以管理外部负载开关,从而提供正确的电源轨、排序和保护,其中包括DDR3和DDR4存储器电源。该稳压器支持动态电压调节(DVS),可最大限度地提高效率(包括联网待机功能)。高频稳压器采用小型电感和电容,以减小解决方案体积。可通过4个VR控制器调节输出功率。凭借I2C接口,可以通过嵌入式控制器(EC)轻松加以控制。每个器件版本均提供7x7 NFBGA和9x9 NFBGA两种封装。7x7 NFBGA封装适用于类型4印刷电路板(PCB),可实现最小电路板面积。9x9 NFBGA封装适用于类型3和类型4 PCB板,可最大限度地降低成本并缩小电路板面积。

商品特性

  • 5个可重新配置的稳压器:可在宽输入电压和宽输出电流范围内保持高效;可更改电压、电流和序列以优化系统
  • 4个采用外部功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的可变输出电压降压控制器:VR1 = 1V;VR3 = 3.3V,VR4 = 1.2V/1.35V/1.1V(对于DDRxVDDQ),VR5 = 5V;VIN范围:5.4V至24V;采用外部功率MOSFET,连续输出电流范围为<1A至>10A
  • 1个带有内部功率MOSFET的可变输出电压降压转换器:VR2 = 1.8V;VIN范围:3V至3.6V;高达2A的持续输出电流;输出电压直流精度±1%;直流 + 交流精度±5%,支持差分输出电压感测;在超低静态电流模式下,每个控制器或转换器的静态电流典型值为30μA
  • 3个固定输出电压低压降线性稳压器(LDO):
    • LDO1:1/2 VR4固定输出电压LDO(对于DDRx VTT)(Vout = VDDQ/2);连续输出电流高达1A,直流 + 交流精度±5%,峰值电流为2A
    • LDO3:3.3V固定输出电压LDO,直流精度±1%,电流<40mA;用于外部模数转换器(ADC)的高精度参考电源;用于EC_VCC电源轨的3.3V负载开关
    • LDO5:5V固定输出电压LDO,直流精度±1%,电流<100mA;用于控制器和转换器栅极驱动的电源可自动切换至5V稳压器以实现高效率
  • 8个用于外部稳压器、负载开关或LDO的电源正常状态比较器和序列逻辑支持电源按钮逻辑且可编程响应时间
  • 2个通用电平转换器
  • 用于实时时钟(RTC)域的备用电池/3.1V LDO选择器输出
  • 电源检测和监视:适配器、电池1和电池2
  • 过温保护比较器,用于堆叠式正温度系数(PTC)热敏电阻或单个负温度系数(NTC)热敏电阻
  • 1Hz嵌入式控制器(EC)唤醒时钟输出
  • 先进的系统复位控制
  • I2C接口:标准模式(100kHz),快速模式(400kHz),快速模式 + (1000kHz)

应用领域

  • NVDC或非NVDC电源系统架构
  • 2节、3节或4节串联锂电池供电类产品
  • 平板电脑、超极本、二合一电脑和笔记本电脑
  • 移动PC、一体化计算机、移动因特网设备
  • 现场可编程逻辑门阵列(FPGA),工业计量设备,个人医疗产品

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