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CSD23203WT
1个P沟道 耐压:8V 电流:3A
- 描述
- CSD23203W 采用 1mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、19.4mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD23203WT
- 商品编号
- C2868585
- 商品封装
- DSBGA-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.02825克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 8V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16.2mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 750mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 914pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 172pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 508pF |
商品概述
This -8V, 16.2mΩ, P-channel device is designed to offer the lowest on-resistance and gate charge in an ultra-thin 1×1.5mm small-outline package with excellent thermal characteristics.
商品特性
- Ultra-low Qg and Qgd
- Low on-resistance RDS(on)
- Small size
- Low profile, 0.62mm height
- Lead-free
- RoHS compliant
- Halogen-free
- CSP 1mm×1.5mm wafer-level package
应用领域
- Battery management
- Load switching
- Battery protection