- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CSD88584Q5DCT
半桥NexFET电源块，采用堆叠裸片技术和DualCool封装，适用于高电流电机控制应用
- 描述
- CSD88584Q5DC 采用 5mm x 6mm SON 封装的 50A、40V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET Dual-Cool™ 电源块
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD88584Q5DCT
- 商品编号
- C2868626
- 商品封装
- SON-22(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.21克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.68mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 12W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.54nF |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向传输电容(Crss) | 474pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 957pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±16V |