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CSD19502Q5BT
CSD19502Q5BT
- 描述
- CSD19502Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、4.1mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD19502Q5BT
- 商品编号
- C2868625
- 商品封装
- VSON-CLIP-8(6x5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.428克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8mΩ@6V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.75nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 925pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
CSD19502Q5B 是80V N 通道 NexFET™ 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。这款 3.4 mΩ, 80 V, SON 5 mm × 6 mm NexFET™ 功率MOSFET 被设计成在功率转换应用中大大降低损耗。
商品特性
- 超低Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩额定值
- 逻辑电平
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
- SON 5 mm × 6 mm 塑料封装
应用领域
- 次级侧同步整流器
- 电机控制