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CSD19506KCS
1个N沟道 耐压:80V 电流:100A
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- 描述
- CSD19506KCS 采用 TO-220 封装的单通道、2.3mΩ、80V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD19506KCS
- 商品编号
- C2867704
- 商品封装
- TO-220AB-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.94克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3mΩ@10V,100A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 156nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 12.2nF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |