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CSD87503Q3E
CSD87503Q3E
- 描述
- CSD87503Q3E 采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共源极、21.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD87503Q3E
- 商品编号
- C2868579
- 商品封装
- VSON-8(3.2x3.2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.074克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21.9mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 15.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17.4nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
CSD87503Q3E是一款30V、13.5mΩ、共源极、双路N沟道器件,专为USB Type-C/PD和电池保护而设计。此3.3×3.3mm SON器件具有低漏极至漏极导通电阻,可最大限度地较少损耗,且具有较少的组件数量,适用于空间受限的应用。
商品特性
- 双N沟道共源极MOSFET
- 针对5V栅极驱动器进行了优化
- 低热阻
- 低Qg和Qgd
- 无铅引脚镀层,符合RoHS标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm×3.3mm塑料封装
应用领域
- USB Type-C/PD VBus保护
- 电池保护
- 负载开关