- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CSD17556Q5BT
CSD17556Q5BT
- 描述
- CSD17556Q5B 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、1.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD17556Q5BT
- 商品编号
- C2868154
- 商品封装
- VSON-CLIP-8(6x5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 191W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC | |
| 输入电容(Ciss) | 5.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 68pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.77nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
CSD17556Q5B是一款30V N通道NexFET™功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。此30V、1.2mΩ、5mm×6mm NexFET™功率MOSFET旨在最大限度地减小同步整流和其他功率转换应用中的损耗。
商品特性
- 极低电阻
- 超低Qg和Qgd
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅引脚镀层，符合RoHS标准
- 无卤素
- SON 5mm×6mm塑料封装
应用领域
- 网络互联、电信和计算系统中的负载点同步降压
- 同步整流
- 有源操作和热插拔应用