- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CSD16340Q3T
1个N沟道 耐压:25V 电流:60A
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- 描述
- CSD16340Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、5.5mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD16340Q3T
- 商品编号
- C2868462
- 商品封装
- VSON-CLIP-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.107克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CSD16340Q3是一款25 V N沟道NexFET™功率MOSFET，参数为3.8 mΩ导通电阻，采用3.3 × 3.3 mm SON封装，旨在降低功率转换过程中的损耗，针对5 V栅极驱动应用进行了优化。
商品特性
- 针对5 V栅极驱动优化
- 电阻额定值设定于VGS = 2.5 V
- 超低Qg和Qgd
- 低热阻
- 雪崩额定
- 无铅端子镀层
- 符合RoHS标准
- 无卤素
- 采用3.3-mm × 3.3-mm SON塑料封装
应用领域
- 网络、电信和计算系统中的负载点同步降压转换器
- 针对控制FET或同步FET应用优化