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CSD25485F5
1个P沟道 耐压:20V 电流:3.2A
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- 描述
- CSD25485F5 采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、42mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD25485F5
- 商品编号
- C2867111
- 商品封装
- PicoStar-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.058克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@8V,900mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 533pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |