- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CSD18537NQ5AT
1个N沟道 耐压:60V 电流:54A
- 描述
- CSD18537NQ5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、13mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD18537NQ5AT
- 商品编号
- C2867692
- 商品封装
- VSONP-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 54A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.48nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 177pF |
商品概述
CSD18537NQ5A 60V N 通道 NexFET™ 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)这款 10 mΩ, 60 V, SON 5 mm × 6 mm NexFET™ 功率 MOSFET 被设计成最大限度地减少功率转换应用中的损耗。
商品特性
- 超低Qg和Qgd
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅端子镀层，符合RoHS标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 5 mm × 6 mm 塑料封装
应用领域
- 高侧同步降压转换器
- 电机控制