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CSD88539ND
2个N沟道 耐压:60V 电流:15A
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描述
CSD88539ND 采用 SO-8 封装的双路、28mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称TI(德州仪器)
商品型号
CSD88539ND商品编号
C2867030商品封装
SOIC-8包装方式
编带
商品毛重
0.112克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 28mΩ@5A,10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | 2.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3.6V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 9.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 741pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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