温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NCE1503S
N沟道,电流:3A,耐压:150V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE1503S
- 商品编号
- C2686541
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.261克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 280mΩ@10V,3A | |
| 耗散功率(Pd) | 3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20.3nC | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 544pF@75V | |
| 反向传输电容(Crss) | 10.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
STC4606是采用高单元密度DMOS沟槽技术的N沟道和P沟道增强型功率场效应晶体管。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻并提供卓越的开关性能。该器件特别适用于低压应用，如笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路，这些应用需要高端开关、低在线功率损耗和抗瞬态能力。
商品特性
- VDS = 150V, ID = 3A
- RDS(ON) < 300 m Ω(在 VGS = 10 V 时,典型值为280mΩ)
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性全面表征
- 出色的封装,散热性能良好
应用领域
-功率开关应用-硬开关和高频电路