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NCE30H14K
1个N沟道 耐压:30V 电流:140A
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- 描述
- NCE30H14K采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE30H14K
- 商品编号
- C2686525
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.525克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 140A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5mΩ@10V；2.9mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 130W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.78nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 410pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
NCE3406N采用先进的沟槽技术，可实现出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 30V，漏极电流（ID） = 6A
- 栅源电压（VGS） = 2.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 50 mΩ
- 栅源电压（VGS） = 4.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 32 mΩ
- 栅源电压（VGS） = 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 28 mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
-电池保护-开关应用