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NCE30H14K实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE30H14K

1个N沟道 耐压:30V 电流:140A

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描述
NCE30H14K采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻(RDS(ON))。它可用于多种应用场景。
商品型号
NCE30H14K
商品编号
C2686525
商品封装
TO-252-2​
包装方式
编带
商品毛重
0.525克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)140A
导通电阻(RDS(on))2.5mΩ@10V;2.9mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)130W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.6V@250uA
栅极电荷量(Qg)80nC@10V
输入电容(Ciss)3.78nF@15V
反向传输电容(Crss)410pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道

数据手册PDF