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NCE3035G实物图
  • NCE3035G商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE3035G

N沟道,电流:35A,耐压:30V

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商品型号
NCE3035G
商品编号
C2686524
商品封装
DFN-8L(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.001克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)35A
导通电阻(RDS(on))7mΩ@10V
耗散功率(Pd)40W
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)45nC
输入电容(Ciss)2.33nF
反向传输电容(Crss)230pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品概述

NCE3035G采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻RDS(ON),适用于多种应用场景。

商品特性

  • 漏源电压VDS = 30V,漏极电流ID = 35A
  • 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 7.0 mΩ
  • 当栅源电压VGS = 4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 12 mΩ
  • 高密度单元设计,实现超低导通电阻Rdson
  • 雪崩电压和电流特性全面表征
  • 具有高单脉冲雪崩能量EAS,稳定性和一致性良好
  • 采用散热性能出色的封装
  • 采用特殊工艺技术,具备高静电放电(ESD)能力

应用领域

  • 次级侧同步整流器
  • 负载点(POL)直流-直流(DC/DC)转换器中的高端开关

数据手册PDF