NCE3035G
N沟道,电流:35A,耐压:30V
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- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE3035G
- 商品编号
- C2686524
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 40W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.33nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 230pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
超结功率MOSFET是高压功率MOSFET的一项革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。深沟槽超结MOSFET提供了一种开关、通信和传导损耗极低的器件，具有极高的稳健性，尤其使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便且低温。
商品特性
- 极低的品质因数RDS(on) × Qg
- 经过100%雪崩测试
- 易于使用/驱动
- 符合RoHS标准
应用领域
- 开关模式电源（SMPS）
- 不间断电源（UPS）
- 功率因数校正（PFC）
- 充电器