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NCE3065K
1个N沟道 耐压:30V 电流:65A
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- 描述
- NCE3065K采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可应用于多种场景。
- 品牌名称
- NCE(无锡新洁能)
- 商品型号
- NCE3065K
- 商品编号
- C2686523
- 商品封装
- TO-252-2
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.521克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 65A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.7mΩ@10V；7.7mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 65W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 32.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 177pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 205pF |
商品概述
ST2304SRG是一款N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如手机和笔记本电脑的电源管理、其他电池供电电路，以及需要低在线功率损耗的场景。该产品采用超小外形表面贴装封装。
商品特性
- 30V/3.2A，漏源导通电阻RDS(ON) = 44 mΩ（典型值）
- @VGS = 10.0V
- 30V/2.0A，漏源导通电阻RDS(ON) = 60 mΩ @VGS = 4.5V
- 超高密度单元设计，实现极低的漏源导通电阻RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- SOT-23封装设计
应用领域
-手机和笔记本电脑电源管理-其他电池供电电路