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BUK9M42-60EX-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- BUK9M42-60EX 是一款N沟道MOS管，采用节省空间的DFN3X3-8L封装，具有优越的电气性能。该器件具有60V的漏源耐压VDSS，可承载20A连续电流ID，适用于高电压大电流应用。其导通电阻RD(on)低至31mR，有效降低了功率损耗，提升了系统能效。广泛应用于开关电源转换、电机驱动控制、电池管理系统等场景，是您追求高效、节能方案的理想半导体组件。
- 商品型号
- BUK9M42-60EX-HXY
- 商品编号
- C22366858
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.059克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 34.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20.3nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
BUK9M42-60EX采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，且能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = 60V，漏极电流ID = 15A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 40mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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