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DMC3025LNS-HXY
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:16A 停产
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- 描述
- 这款场效应管为N+P型，电流为16A，可满足一定的功率需求。电压30V，适用于多种常见电路环境。内阻典型值14mR，能有效降低能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有特定要求的电子设备中。
- 商品型号
- DMC3025LNS-HXY
- 商品编号
- C22366855
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.066克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 10.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
商品概述
NVMFS5826NL采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V,ID = 16A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 20mΩ
- VDS = -30V,ID = -14A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 30mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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