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IRF7104TRPBF-HXY
P沟道 20V 4A
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- 描述
- 此款SOP-8封装双P沟道消费级MOSFET，专为低电压、中等电流应用设计。额定电压20V，每个通道可承载高达4A连续电流，适用于电源转换、电池保护及负载开关控制，具备低导通电阻与卓越的并联性能，是现代电子设备的理想双通道功率开关器件。
- 商品型号
- IRF7104TRPBF-HXY
- 商品编号
- C20606262
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.09克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 325pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
商品概述
IRF7104TRPBF采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -20V，漏极电流（ID） = -4A
- 栅源电压（VGS） = -4.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 95mΩ
- 源极电压（VSS） = -2.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 110mΩ
应用领域
- 脉冲宽度调制（PWM）应用
- 负载开关
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