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IPD40DP06NMATMA1-HXY
1个P沟道 耐压:60V 电流:10A
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- 描述
- 此款TO-252-2L封装的P沟道消费级MOSFET，专为中等电压、大电流应用设计。额定电压60V，连续电流承载能力高达10A，适用于电源转换、负载开关及电池管理系统，具备低导通电阻和优越热性能，是现代电子设备高效能功率控制的理想选择。
- 商品型号
- IPD40DP06NMATMA1-HXY
- 商品编号
- C20606265
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.35克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.85nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 715pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 34pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 51pF |
优惠活动
购买数量
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