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BSS205NH6327-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:2.8A
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- 描述
- 这款N沟道消费级MOSFET采用小型SOT-23封装，专为低电压、中等电流应用设计。额定击穿电压20V，可稳定承载2.8A连续电流，尤其适用于便携式设备、电源管理模块及负载开关电路，提供卓越的导通性能与低功耗表现，是现代电子设备的理想集成组件。
- 商品型号
- BSS205NH6327-HXY
- 商品编号
- C20606271
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01765克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 260pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交4单
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