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IPG20N06S4L-26-HXY
2个N沟道 耐压:60V 电流:50A
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- 描述
- 这款双N沟道消费级MOSFET采用紧凑型DFN5X6-8L封装，专为高功率密度和大电流应用设计。具有60V额定电压及单通道高达50A的连续电流能力，尤其适用于高效电源转换、电动单车电池管理系统以及电机驱动场景，提供卓越的能效表现与可靠的开关性能。
- 商品型号
- IPG20N06S4L-26-HXY
- 商品编号
- C20606274
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1184克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 930pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 230pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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