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IPG20N06S4L-26-HXY
2个N沟道 耐压:60V 电流:50A
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- 描述
- 这款双N沟道消费级MOSFET采用紧凑型DFN5X6-8L封装，专为高功率密度和大电流应用设计。具有60V额定电压及单通道高达50A的连续电流能力，尤其适用于高效电源转换、电动单车电池管理系统以及电机驱动场景，提供卓越的能效表现与可靠的开关性能。
- 商品型号
- IPG20N06S4L-26-HXY
- 商品编号
- C20606274
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1184克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
BSS205NH6327采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 20 V，ID = 2.8 A
- 在VGS = 4.5 V时，RDS(ON) < 40 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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