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IRFHM9331TRPBF-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:40A
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- 描述
- 这款高性能P沟道消费级MOSFET采用超紧凑DFN3X3-8L封装，专为高功率密度和大电流应用设计。具备30V额定电压及高达40A的连续电流处理能力，特别适用于电池保护、电源开关以及高效电源转换场景，提供卓越的能效表现与优秀的热管理性能，是现代小型化电子设备的理想之选。
- 商品型号
- IRFHM9331TRPBF-HXY
- 商品编号
- C20606280
- 商品封装
- DFN3x3-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0538克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 15W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 156pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品特性
- 漏源电压VDS = -30V,漏极电流ID = -35A
- 当栅源电压VGS = -10V时,导通电阻RDS(ON) < 15mΩ
- 当栅源电压VGS = -4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 26mΩ
应用领域
- 全桥转换器的高端开关
- 液晶显示器的DC/DC转换器