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IRFHM9331TRPBF-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRFHM9331TRPBF-HXY

1个P沟道 耐压:30V 电流:40A

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描述
这款高性能P沟道消费级MOSFET采用超紧凑DFN3X3-8L封装,专为高功率密度和大电流应用设计。具备30V额定电压及高达40A的连续电流处理能力,特别适用于电池保护、电源开关以及高效电源转换场景,提供卓越的能效表现与优秀的热管理性能,是现代小型化电子设备的理想之选。
商品型号
IRFHM9331TRPBF-HXY
商品编号
C20606280
商品封装
DFN3x3-8L​
包装方式
编带
商品毛重
0.0538克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)40A
导通电阻(RDS(on))12mΩ@10V
耗散功率(Pd)15W
阈值电压(Vgs(th))1.6V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)22nC@10V
输入电容(Ciss)1.33nF
反向传输电容(Crss)156pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型P沟道
输出电容(Coss)183pF

数据手册PDF