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BSC0702LS-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:125A
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- 描述
- 这款高性能N沟道消费级MOSFET采用紧凑型DFN5X6-8L封装，专为处理高电压、大电流应用设计。器件具有60V额定电压和高达125A的连续电流能力，尤其适用于电池管理系统、电源转换器及大功率电机驱动场合，提供卓越的导通性能与散热效率，是现代高效电子设备的核心组件。
- 商品型号
- BSC0702LS-HXY
- 商品编号
- C20606289
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.127克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 125A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 113W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 111.56nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.915nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 132pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 3.282nF |
商品概述
IRLR120NTRPBF采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更好的耐用性，适用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V，漏极电流ID = 12 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 120 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流