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BSC039N06NS-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:125A
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- 描述
- 本款消费级N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装，具备60V高耐压及卓越的125A大电流处理能力。专为高性能、低电阻开关应用设计，广泛应用于各类消费电子产品中，实现高效能与紧凑空间利用的完美结合。
- 商品型号
- BSC039N06NS-HXY
- 商品编号
- C20606292
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1286克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 125A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 113W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 111.56nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.915nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 132pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 3.282nF |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个5000个/圆盘
总价金额：
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