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CMD5950-HXY

1个P沟道 耐压:100V 电流:30A

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描述
此款P沟道消费级MOSFET采用TO-252-2L封装，特别优化以实现高电压、大电流应用。具有100V的额定电压和30A连续工作电流能力，适用于各类电源开关、逆变器以及高效功率转换场景，提供出色的导通性能与能效，是高性能电子设备的理想组件选择。
品牌名称
HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
CMD5950-HXY
商品编号
C20606294
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.35克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)30A
导通电阻(RDS(on))57.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)107W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
栅极电荷量(Qg)147nC@10V
输入电容(Ciss)8.056nF
反向传输电容(Crss)70pF
工作温度-55℃~+175℃
输出电容(Coss)195pF

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