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AUIRFR3504Z-HXY
1个N沟道 耐压:40V 电流:60A
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- 描述
- 这款N沟道消费级MOSFET采用TO-252-2L封装，专为处理中高电压、大电流应用设计。器件额定电压40V，能承载高达60A的连续电流，尤其适用于电源转换器、电池管理系统及电机驱动场合，提供卓越的导通性能和高效散热，是现代电子设备构建高性能功率控制系统的理想组件。
- 商品型号
- AUIRFR3504Z-HXY
- 商品编号
- C20606293
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3622克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 64.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 280pF |
商品概述
BSC0702LS采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。 该器件经过专门设计，具有更好的耐用性和适用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 60 V，漏极电流ID = 125 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 2.9 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离式直流
- 同步整流应用
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