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AUIRFR3504Z-HXY
1个N沟道 耐压:40V 电流:60A
- 描述
- 这款N沟道消费级MOSFET采用TO-252-2L封装，专为处理中高电压、大电流应用设计。器件额定电压40V，能承载高达60A的连续电流，尤其适用于电源转换器、电池管理系统及电机驱动场合，提供卓越的导通性能和高效散热，是现代电子设备构建高性能功率控制系统的理想组件。
- 商品型号
- AUIRFR3504Z-HXY
- 商品编号
- C20606293
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3622克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 34.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.639nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 112pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 148pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
- CMD5950-HXY
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- 1.0-8PSJPZ