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BSC0702LSATMA1-HXY
1个N沟道 耐压:60V 电流:125A
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- 描述
- 这款消费级MOSFET采用先进的DFN5X6-8L封装，具备高效能N沟道设计，额定电压高达60V，电流容量高达125A，专为各类高功率应用打造，提供卓越的开关性能与低导通电阻，是您电子设备的理想选择。
- 商品型号
- BSC0702LSATMA1-HXY
- 商品编号
- C20606290
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1278克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 125A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 113W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 74.37nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.61nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 66pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.188nF |
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