温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRF7476PBF-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:20A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 此款N沟道消费级MOSFET采用标准SOP-8封装，专为高电流应用设计。额定电压20V，具备强大的20A连续电流处理能力，是电源转换、电机驱动及负载开关的理想选择。该器件以其出色的导通性能和在紧凑空间内的高效能表现，广泛应用于各类消费电子产品中。
- 商品型号
- IRF7476PBF-HXY
- 商品编号
- C20606287
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1067克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.63nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 810pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 960pF |
- BSC0702LS-HXY
- BSC0702LSATMA1-HXY
- BSC028N06NS-HXY
- BSC039N06NS-HXY
- CMD5950-HXY
- H6OEL89CSI-SUGYLC-4M
- H6OEL89CSI-SUGYLC-16M
- H6OEL89CSC-STUYLC-16M
- H6OEL89CSI-SUGYLC-12M
- H6OEL89CSI-STUYLC-12M
- H6OEL89CSC-STUYLC-12M
- H1OEL89CSI-STUYLC-8M
- H1OEL89CSC-STUYLC-8M
- H1OEL89CSI-SUGYLC-16M
- H1OEL89CSI-STUYLC-16M
- H1OEL89CSI-SUGYLC-12M
- H1OEL89CSI-STUYLC-12M
- XL2EL89CSI-111YLC-48M
- XL2EL89CSI-111YLC-22.1184M
- XL7EL89CLI-111YLC-26M
- XC2EL89CMO-114YLC-8M