IRF7476PBF-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:20A
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描述
此款N沟道消费级MOSFET采用标准SOP-8封装，专为高电流应用设计。额定电压20V，具备强大的20A连续电流处理能力，是电源转换、电机驱动及负载开关的理想选择。该器件以其出色的导通性能和在紧凑空间内的高效能表现，广泛应用于各类消费电子产品中。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
IRF7476PBF-HXY商品编号
C20606287商品封装
SOP-8包装方式
编带
商品毛重
0.1067克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 5.5mΩ@4.5V,20A | |
| 功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.6V@250uA |
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