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IRF7476PBF-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:20A
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- 描述
- 此款N沟道消费级MOSFET采用标准SOP-8封装，专为高电流应用设计。额定电压20V，具备强大的20A连续电流处理能力，是电源转换、电机驱动及负载开关的理想选择。该器件以其出色的导通性能和在紧凑空间内的高效能表现，广泛应用于各类消费电子产品中。
- 商品型号
- IRF7476PBF-HXY
- 商品编号
- C20606287
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1067克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.63nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 810pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 960pF |
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