温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRFB4410ZPBF-HXY
1个N沟道 耐压:100V 电流:70A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这款TO-220封装的N沟道消费级MOSFET，专为处理高电压、大电流应用场景设计。额定电压100V，能承载70A连续电流，适合于电源转换器、电机驱动及各类高压负载开关应用，提供低导通电阻和卓越的散热性能，是构建高效能电子系统时的理想功率半导体器件。
- 商品型号
- IRFB4410ZPBF-HXY
- 商品编号
- C20606278
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.068克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 31.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.368nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 451pF |
商品概述
IPD90P03P4L-04采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V
- ID = -120A
- 当VGS = -10V时，RDS(ON) < 4.5mΩ
应用领域
- 锂电池保护-无线冲击-手机快充