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IRFB4410ZPBF-HXY
1个N沟道 耐压:100V 电流:70A
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- 描述
- 这款TO-220封装的N沟道消费级MOSFET，专为处理高电压、大电流应用场景设计。额定电压100V，能承载70A连续电流，适合于电源转换器、电机驱动及各类高压负载开关应用，提供低导通电阻和卓越的散热性能，是构建高效能电子系统时的理想功率半导体器件。
- 商品型号
- IRFB4410ZPBF-HXY
- 商品编号
- C20606278
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.068克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 31.3nC@50V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.368nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 451pF |
商品概述
IRFB4410ZPBF采用先进的SGT MOSFET技术，可提供低导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过特殊设计，具有更好的耐用性和适用性。封装形式为TO - 220（TO - 220AB - 3）。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100V，漏极电流ID = 70A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 10.5mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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