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BSS214NH6327-HXY
1个N沟道 耐压:20V 电流:3A
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- 描述
- 这款紧凑型N沟道MOSFET采用SOT-23封装，专为消费电子产品中的低电压、中等电流应用设计。额定电压20V，最大连续电流3A，适合于电源管理、负载开关以及移动设备的功率路径控制，具备低导通电阻和高效能特点，是小型电子电路的理想选择。
- 商品型号
- BSS214NH6327-HXY
- 商品编号
- C20606288
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0175克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 53mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 260pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
BSC160N10NS3G采用先进的SGT MOSFET技术，可实现低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具备更好的耐用性和适用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V，漏极电流ID = 75 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 9.2 mΩ
应用领域
- 消费电子电源-电机控制-同步整流-隔离式直流-同步整流应用