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IRFR120ZTRPBF-HXY
1个N沟道 耐压:100V 电流:12A
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- 描述
- 该N沟道消费级MOSFET采用TO-252-2L封装，适用于100V电压环境下的高效能应用。额定电流高达12A，尤其适合电源转换、电机驱动及电池管理系统，具备低导通电阻与优良散热性能，是现代电子设备中理想的功率半导体元件选择。
- 商品型号
- IRFR120ZTRPBF-HXY
- 商品编号
- C20606285
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3751克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 17W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 196pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 25.9pF |
商品概述
BSC109N10NS3G采用先进的SGT MOSFET技术，具备低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件经过专门设计，具有更好的耐用性和适用性。
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V
- 漏极电流ID = 75 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时，导通电阻RDS(ON) < 9.2 mΩ
应用领域
- 消费电子电源
- 电机控制
- 同步整流
- 隔离直流
- 同步整流应用