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BSC080N03LS G-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BSC080N03LS G-HXY

1个N沟道 耐压:30V 电流:70A

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描述
该款N沟道消费级MOSFET采用DFN5X6-8L封装,专为30V电压下大电流应用设计。额定连续电流高达70A,尤其适用于电源转换、电池管理系统及高功率电子设备,具备低导通电阻和卓越散热性能,是紧凑型系统实现高效能功率控制的理想解决方案。
商品型号
BSC080N03LS G-HXY
商品编号
C20606282
商品封装
DFN5x6-8L​
包装方式
编带
商品毛重
0.1205克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)70A
导通电阻(RDS(on))7mΩ@10V
属性参数值
耗散功率(Pd)69W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

数据手册PDF

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