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BSC120N03MS G-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BSC120N03MS G-HXY

N沟道 耐压:30V 电流:70A

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描述
该款N沟道消费级MOSFET采用紧凑型DFN5X6-8L封装,专为30V电压下大电流应用设计。额定连续电流高达70A,适用于电源转换、电池管理系统及高效能电子设备,具备低导通电阻和优化散热性能,是现代便携式与空间受限系统理想的功率控制组件。
商品型号
BSC120N03MS G-HXY
商品编号
C20606283
商品封装
DFN-8(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.1218克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)70A
导通电阻(RDS(on))7mΩ@10V
耗散功率(Pd)59W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)20nC@4.5V
输入电容(Ciss)2.295nF
反向传输电容(Crss)210pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)267pF

应用领域

  • LED照明-负载开关-雾化器

数据手册PDF