温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IRF7205PBF-HXY
N沟道 30V 5.8A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 这款SOP-8封装的P沟道消费级MOSFET，特别针对30V电压下高效能开关与电源管理应用设计。拥有5.8A连续电流处理能力，适合于中等功率负载切换、电池保护电路及各类电子设备的电源转换场景，具备出色的导通性能和低损耗特性
- 商品型号
- IRF7205PBF-HXY
- 商品编号
- C20606276
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0896克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 520pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
商品概述
IRF7420TRPBF采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V,ID = -5.8A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON) < 55mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
- P沟道MOSFET