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BSC109N10NS3G-HXY
1个N沟道 耐压:100V 电流:75A
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- 描述
- 产品描述：这款消费级N沟道MOSFET采用先进的DFN5X6-8L封装，具备出色的100V电压耐受力与高达75A的连续电流处理能力，专为高功率、高效率电子设备设计，提供卓越开关性能及低导通电阻，助力提升系统整体效能。
- 商品型号
- BSC109N10NS3G-HXY
- 商品编号
- C20606272
- 商品封装
- DFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1276克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 97W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 39.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.046nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 865pF |
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