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BSC050NE2LS-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BSC050NE2LS-HXY

1个N沟道 耐压:30V 电流:80A

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描述
这款N沟道消费级MOSFET采用超小型DFN5X6-8L封装,特别为高效能、大电流应用设计。具备30V额定电压及高达80A连续电流承载能力,适用于电源转换器、电池管理系统以及电机驱动场合,提供卓越的导通性能与低热阻表现,是现代紧凑型电子设备的理想功率开关解决方案。
商品型号
BSC050NE2LS-HXY
商品编号
C20606275
商品封装
DFN-8(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.116克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)80A
导通电阻(RDS(on))4.7mΩ@10V
耗散功率(Pd)37W
阈值电压(Vgs(th))1.7V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)38nC@10V
输入电容(Ciss)1.93nF
反向传输电容(Crss)260pF
工作温度-55℃~+150℃
配置独立式
类型N沟道
输出电容(Coss)310pF

数据手册PDF