BSC160N10NS3G-HXY
1个N沟道 耐压:100V 电流:75A
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描述
这款N沟道消费级MOSFET采用DFN5X6-8L封装，特别为高功率密度应用设计。额定电压100V，能承载高达75A连续电流，适用于电源转换、电池管理系统及大电流开关场景，提供卓越的导通性能与热管理效率，是现代紧凑型电子设备的理想高性能半导体组件。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
BSC160N10NS3G-HXY商品编号
C20606273商品封装
DFN-8L(5x6)包装方式
编带
商品毛重
0.1266克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 7.3mΩ@10V,20A | |
| 功率(Pd) | 97W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
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