IPD25DP06NM-HXY
1个P沟道 耐压:60V 电流:10A
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描述
这款TO-252-2L封装的P沟道消费级MOSFET,专为中等电压、大电流应用设计。器件具有60V额定电压和10A连续电流处理能力,适用于电源转换、负载开关以及电池管理系统等场合,提供出色的导通性能与低损耗特性,是现代电子设备高效能功率管理的理想解决方案。
- 品牌名称HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号
IPD25DP06NM-HXY商品编号
C20606266商品封装
TO-252-2L包装方式
编带
商品毛重
0.35克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
连续漏极电流(Id) | 10A |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 125mΩ@10V,8A | |
功率(Pd) | 31.3W | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA |
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