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IPD25DP06NM-HXY
1个P沟道 耐压:60V 电流:10A
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- 描述
- 这款TO-252-2L封装的P沟道消费级MOSFET，专为中等电压、大电流应用设计。器件具有60V额定电压和10A连续电流处理能力，适用于电源转换、负载开关以及电池管理系统等场合，提供出色的导通性能与低损耗特性，是现代电子设备高效能功率管理的理想解决方案。
- 商品型号
- IPD25DP06NM-HXY
- 商品编号
- C20606266
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.35克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.85nC@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 715pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 34pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 51pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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