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IPD90P03P4L-04-HXY
1个P沟道 耐压:30V 电流:120A
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- 描述
- 这款TO-252-2L封装的P沟道消费级MOSFET，专为大电流应用设计。具备30V额定电压和高达120A连续电流承载能力，尤其适用于电源转换、电池管理系统以及高功率开关电路，提供卓越的能效表现与散热性能，是现代电子设备实现高效功率控制的理想组件。
- 商品型号
- IPD90P03P4L-04-HXY
- 商品编号
- C20606270
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.34克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 130nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 540pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
BSZ050N03LS G采用先进的沟槽技术，可实现出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 60A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) < 5.5 mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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