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IRF7420TRPBF-HXY
P沟道 20V 20A
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- 描述
- 该P沟道消费级MOSFET采用SOP-8封装，针对20V电压下的大电流应用优化。提供高达20A连续电流处理能力，适用于电源转换、负载开关及电池管理系统，具有低导通电阻和高可靠性，是现代消费电子设备高效能功率管理的理想解决方案。
- 商品型号
- IRF7420TRPBF-HXY
- 商品编号
- C20606268
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1042克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 18W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 590pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 690pF |
商品概述
BSS314PEH6327采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = -30V，ID = -4.1A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 56mΩ
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
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