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IRFR7546TRPBF-HXY
N沟道 耐压:60V 电流:80A
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- 描述
- 这款N沟道消费级MOSFET采用TO-252-2L封装，专为高电流应用设计。额定电压60V，具备高达80A的连续电流承载能力，尤其适用于电源转换、电池管理系统及大功率开关电路，提供低导通电阻与高效能表现，是现代电子设备实现卓越功率控制的理想之选。
- 商品型号
- IRFR7546TRPBF-HXY
- 商品编号
- C20606269
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3648克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 104W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 33nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.68nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 180pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 260pF |
- IPD90P03P4L-04-HXY
- BSS205NH6327-HXY
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