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IRFR3410TRPBF-HXY
1个N沟道 耐压:100V 电流:30A
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- 描述
- 这款N沟道消费级MOSFET采用TO-252-2L封装，专为中高电压、大电流应用设计。额定击穿电压100V，连续电流承载能力高达30A，特别适用于电源转换器、电机驱动及负载开关场合，提供卓越的导通性能与能效表现，是构建高性能电子系统的理想功率半导体器件选择。
- 商品型号
- IRFR3410TRPBF-HXY
- 商品编号
- C20606264
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3646克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.964nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 74pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
商品概述
BSS306NH6327采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 5.8A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 28mΩ
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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