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IRFR3411TRPBF-HXY
1个N沟道 耐压:100V 电流:30A
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- 描述
- 此款N沟道消费级MOSFET采用TO-252-2L封装，专为高电流应用设计。额定电压100V，可承载高达30A连续电流，适用于电源转换、电机驱动及电池管理系统，具备低导通电阻和卓越散热性能，是构建高效能电子设备的理想功率半导体器件选择。
- 商品型号
- IRFR3411TRPBF-HXY
- 商品编号
- C20606263
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3648克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
BSC050NE2LS采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- VDS = 30V ID = 80A
- RDS(ON) < 6mΩ VGS = 10V
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 不间断电源
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